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SPB100N03S2L-03 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 80A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8180pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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SPB100N03S2L-03 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SPB100N03S2L-03

Altri includenu   "SPB10"   parti

I seguenti parti includenu  'SPB10' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SPB100100 MICROSEMI IGBT Modules 2833
SPB10015 MICROSEMI IGBT Modules 2897
SPB10035 MICROSEMI IGBT Modules 2984
SPB10040 MICROSEMI IGBT Modules 2755
SPB10045 MICROSEMI IGBT Modules 2930
SPB10045E3 Microsemi Diodes - Rectifiers - Arrays 2736
SPB10045E3 Microsemi Corporation Rectifier Diode Array
SPB10060 MICROSEMI IGBT Modules 2554
SPB10080 MICROSEMI IGBT Modules 2998
SPB10090 MICROSEMI IGBT Modules 2900

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