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DTA123ECAT116 Specificazioni tecniche

PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SST3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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DTA123ECAT116 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per DTA123ECAT116

Altri includenu   "DTA12"   parti

I seguenti parti includenu  'DTA12' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
DTA123ECAT116 ROHM Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTA123EE ROHM Specialized Hot ICs 3432
DTA123EE TL ROHM Specialized Hot ICs 6010
DTA123EEBTL ROHM Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTA123EEFRATL LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2598
DTA123EEFRATL ROHM Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTA123EEFTL LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 1479
DTA123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 598
DTA123EET1 ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTA123EET1 Rochester Electronics, LLC Pre-Biased BJT Transistors

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