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DTC113ZUAT106
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DTC113ZUAT106 Specificazioni tecniche
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | UMT3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
DTC113ZUAT106 Ducumenti
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Datasheets
DTC113ZUAT106.pdf
Altri includenu "DTC11" parti
I seguenti parti includenu 'DTC11'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
DTC113EET1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2783 |
DTC113EET1G | ON Semiconductor | Pre-Biased BJT Transistors | |
DTC113EM3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2685 |
DTC113EM3T5G | ON Semiconductor | Pre-Biased BJT Transistors | |
DTC113ZCA | Original | Specialized Hot ICs | 110632 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2598 |
DTC113ZCA-TP | Micro Commercial Co | Pre-Biased BJT Transistors | |
DTC113ZCAHZGT116 | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2646 |
DTC113ZCAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Pre-Biased BJT Transistors | |
DTC113ZCAT116 | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 110600 |
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