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EMD3T2R Specificazioni tecniche

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package EMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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EMD3T2R ROHM Semiconductor BJT Transistors Arrays

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