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QS8J5TR Specificazioni tecniche

MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TSMT8
Power - Max 600mW
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A
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