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R6007KNJTL Specificazioni tecniche
MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620 mOhm @ 2.4A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 470pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-263 |
Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
R6007KNJTL Ducumenti
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Datasheets
R6007KNJTL.pdf
Altri includenu "R6007" parti
I seguenti parti includenu 'R6007'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
R6007 | Brady Corporation | PC Accessories | |
R6007ENJ | LAPIS Semiconductor | Specialized Hot ICs | 150000 |
R6007ENJTL | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2548 |
R6007ENX | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2513 |
R6007ENX MOS | LAPIS Semiconductor | Specialized Hot ICs | 847 |
R6007KND3TL1 IC | LAPIS Semiconductor | Specialized Hot ICs | 40387 |
R6007KNX | LAPIS Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2686 |
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