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RBR3L30BTE25 Specificazioni tecniche

DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDS

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Diodes - Rectifiers - Single
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 530mV @ 3A
Supplier Device Package PMDS
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Diode Type Schottky
Current - Average Rectified (Io) 3A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case DO-214AC, SMA
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 80µA @ 30V
Capacitance @ Vr, F -
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RBR3L30BTE25 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per RBR3L30BTE25

Altri includenu   "RBR3L"   parti

I seguenti parti includenu  'RBR3L' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
RBR3L30A LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 45000
RBR3L30ADD LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 15000
RBR3L30ATE25 LAPIS Semiconductor Diodes - Rectifiers - Single 2564
RBR3L30ATE25 ROHM Semiconductor Single-Phase Diode Rectifier
RBR3L30B LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 45000
RBR3L40A LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 150000
RBR3L40ADD LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 15000
RBR3L40ATE25 LAPIS Semiconductor Diodes - Rectifiers - Single 1749
RBR3L40B LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 72342
RBR3L40B TE25 LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 6000

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