SCT3030ALGC11 Specificazioni tecniche

MOSFET NCH 650V 70A TO247N

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 13.3mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 27A, 18V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1526pF @ 500V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +22V, -4V
Supplier Device Package TO-247N
Power Dissipation (Max) 262W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 18V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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SCT3030ALGC11 Ducumenti

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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SCT300-300 Panduit Terminals - Wire Splice Connectors 2510
SCT300-300 Panduit Corp Wire Splice Connectors
SCT3017ALHRC11 ROHM Semiconductor Single MOSFETs Transistors
SCT3022AL LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 4322
SCT3022ALGC11 LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2739
SCT3030AL LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 26
SCT3030ALGC11 IC LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 585
SCT3030KL LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 4222
SCT3030KLGC11 LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2685
SCT3040KLGC11 LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2663

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