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SH8K12TB1 Specificazioni tecniche

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A
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SH8K12TB1 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SH8K12TB1

Altri includenu   "SH8K1"   parti

I seguenti parti includenu  'SH8K1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SH8K1 LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 10430
SH8K1 TB1 ROHM Specialized Hot ICs 12795
SH8K10SGZETB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays
SH8K11 R Specialized Hot ICs 12850
SH8K11 MOS VBSEMI Specialized Hot ICs 19324
SH8K11MGATB ROHM Specialized Hot ICs 5000
SH8K11TB ROHM Specialized Hot ICs 3123
SH8K11TB1 ROHM Specialized Hot ICs 1307
SH8K12 R Specialized Hot ICs 16356
SH8K12 MOS VBSEMI Specialized Hot ICs 16186

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