UMD22NTR Specificazioni tecniche

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 150mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package UMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Altri includenu   "UMD22"   parti

I seguenti parti includenu  'UMD22' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
UMD22 ROHM Specialized Hot ICs 750
UMD22 N TR ROHM Specialized Hot ICs 6284
UMD22 NTR ROHM Specialized Hot ICs 75500
UMD22N Original Specialized Hot ICs 159470
UMD22NFHATR LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 7199
UMD22NFHATR ROHM Semiconductor BJT Transistors Arrays
UMD22NTR ROHM Semiconductor BJT Transistors Arrays
UMD22NTR 12 LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 1153

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