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US6J11TR Specificazioni tecniche
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 6V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | UMT6 |
Power - Max | 320mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
US6J11TR Ducumenti
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Datasheets
US6J11TR.pdf
Altri includenu "US6J1" parti
I seguenti parti includenu 'US6J1'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
US6J11 | ROHM | Specialized Hot ICs | 3793 |
US6J11 TCR | ROHM | Specialized Hot ICs | 12812 |
US6J11 TR | LAPIS Semiconductor | Specialized Hot ICs | 3312 |
US6J11TR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays | |
US6J11TR IC | LAPIS Semiconductor | Specialized Hot ICs | 618 |
US6J11TR MOS | LAPIS Semiconductor | Specialized Hot ICs | 12459 |
US6J12 | LAPIS Semiconductor | Specialized Hot ICs | 65000 |
US6J12 TCR | LAPIS Semiconductor | Specialized Hot ICs | 3000 |
US6J12TCR | LAPIS Semiconductor | Specialized Hot ICs | 3335 |
US6J12TCR | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistors Arrays |
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