US6M2TR Specificazioni tecniche

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TUMT6
Power - Max 1W
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A, 1A
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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
US6M2 ROHM Specialized Hot ICs 13562
US6M2 G TR ROHM Specialized Hot ICs 3207
US6M2 G3 TR ROHM Specialized Hot ICs 2703
US6M2 TCR ROHM Specialized Hot ICs 13697
US6M2 TR ROHM Specialized Hot ICs 5395
US6M2 TR IC LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 15760
US6M2GTR LAPIS Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2971
US6M2GTR ROHM Specialized Hot ICs 2247
US6M2GTR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays
US6M2TR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistors Arrays

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