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VT6X1T2R Specificazioni tecniche

TRANS 2NPN 20V 0.2A 6VMT

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 150mW
Package / Case 6-SMD
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package VMT6
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 400MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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VT6X1T2R Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per VT6X1T2R

Altri includenu   "VT6X1"   parti

I seguenti parti includenu  'VT6X1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
VT6X1 LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 150000
VT6X1 T2R LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 24000
VT6X11 LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 150000
VT6X11T2R ROHM Specialized Hot ICs 2715
VT6X11T2R ROHM Semiconductor Arrays BJT Transistors
VT6X12 ROHM Specialized Hot ICs 8437
VT6X12T2R LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 96233
VT6X12T2R ROHM Semiconductor Arrays BJT Transistors
VT6X1T2R ROHM Semiconductor Arrays BJT Transistors

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