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TP2510N8-G Specificazioni tecniche

MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Micrel / Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 750mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 480mA (Tj)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-243AA (SOT-89)
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Package / Case TO-243AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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TP2510N8-G Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per TP2510N8-G

Altri includenu   "TP251"   parti

I seguenti parti includenu  'TP251' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
TP2510-150M TI Specialized Hot ICs 17097
TP2510N8 SUPERTEX Specialized Hot ICs 2898
TP2510N8-G Microchip Technology Single MOSFETs Transistors

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