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MT53B512M32D2NP-062 WT:D Specificazioni tecniche

IC DRAM 16G 1600MHZ

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Integrated Circuits (ICs) / Memory
Manufacturer Micron Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SDRAM - Mobile LPDDR4
Operating Temperature -30°C ~ 85°C (TC)
Memory Type Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 1600MHz
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.1V
Other Names MT53B512M32D2NP-062 WT:D-ND MT53B512M32D2NP-062WT:D
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 16Gb (512M x 32)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (512M x 32) 1600MHz
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Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per MT53B512M32D2NP-062 WT:D

  • Datasheets

Altri includenu   "MT53B"   parti

I seguenti parti includenu  'MT53B' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C Micron Technology Memory 2606
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR Micron Technology Memory 2662
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C Micron Technology Memory 2561
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR Micron Technology Memory 2698
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C Micron Technology Memory 2778
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR Micron Technology Memory 2505
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D Micron Technology Memory 2511
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR Micron Technology Memory 2602
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D Micron Technology Memory 2710
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D Micron Technology Memory 2728

I clienti anu vistu ancu

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