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1N5553US Specificazioni tecniche
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Diodes - Rectifiers - Single |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 9A |
Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Package / Case | SQ-MELF, B |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
1N5553US Ducumenti
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Datasheets
1N5553US.pdf
Altri includenu "1N555" parti
I seguenti parti includenu '1N555'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
1N5550 | Microsemi | Diodes - Rectifiers - Single | 2776 |
1N5550 | Microsemi Corporation | Single-Phase Diode Rectifier | |
1N5550C.TR | Semtech | Diodes - Rectifiers - Single | 0 |
1N5550US | Microsemi | Diodes - Rectifiers - Single | 2633 |
1N5551 | Microsemi | Diodes - Rectifiers - Single | 2628 |
1N5551 | Semtech | Diodes - Rectifiers - Single | 751 |
1N5551 | Microsemi Corporation | Single-Phase Diode Rectifier | |
1N5551C.TR | Semtech | Diodes - Rectifiers - Single | 2619 |
1N5551US | Semtech | Diodes - Rectifiers - Single | 2668 |
1N5551US | Microsemi | Diodes - Rectifiers - Single | 2533 |
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