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1N5615 Specificazioni tecniche
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Diodes - Rectifiers - Single |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Package / Case | A, Axial |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 200V |
Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 12V, 1MHz |
1N5615 Ducumenti
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-
Datasheets
1N5615.pdf
Altri includenu "1N561" parti
I seguenti parti includenu '1N561'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
1N5610 | Microsemi | TVS Diodes | 2515 |
1N5611 | Microsemi | TVS Diodes | 0 |
1N5613 | Microsemi | TVS Diodes | 0 |
1N5614 | Microsemi | Diodes - Rectifiers - Single | 2645 |
1N5614GP-E3/54 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Rectifiers - Single | 2791 |
1N5614GP-E3/73 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Rectifiers - Single | 2710 |
1N5614GP-E3/73 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Rectifiers - Single | 2559 |
1N5614GPHE3/54 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Rectifiers - Single | 2794 |
1N5614GPHE3/54 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Rectifiers - Single | 2551 |
1N5614US | Microsemi | Diodes - Rectifiers - Single | 2770 |
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