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1N5621 Specificazioni tecniche
DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Diodes - Rectifiers - Single |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 3A |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Reverse Recovery Time (trr) | 300ns |
Package / Case | A, Axial |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 800V |
Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 12V, 1MHz |
1N5621 Ducumenti
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-
Datasheets
1N5621.pdf
Altri includenu "1N562" parti
I seguenti parti includenu '1N562'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
1N5620 | Microsemi | Diodes - Rectifiers - Single | 2682 |
1N5620C.TR | Semtech | Diodes - Rectifiers - Single | 500 |
1N5620GPHE3/54 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Rectifiers - Single | 2723 |
1N5620GPHE3/54 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Rectifiers - Single | 2704 |
1N5620GPHE3/73 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Rectifiers - Single | 2622 |
1N5620US | Microsemi | Diodes - Rectifiers - Single | 2500 |
1N5620US | Microsemi Corporation | Single-Phase Diode Rectifier | |
1N5621GP-E3/54 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Rectifiers - Single | 2798 |
1N5621GP-E3/54 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Rectifiers - Single | 2660 |
1N5621GP-E3/73 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Rectifiers - Single | 2664 |
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