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2N5014S Specificazioni tecniche
TRANSISTOR NPN TO-39
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V |
Transistor Type | NPN |
Series | Military, MIL-PRF-19500/727 |
Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 5mA, 20mA |
Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
Power - Max | 1W |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Frequency - Transition | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
2N5014S Ducumenti
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Datasheets
Altri includenu "2N501" parti
I seguenti parti includenu '2N501'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
2N5010 | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 2670 |
2N5011 | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 2774 |
2N5012 | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 2565 |
2N5012 | Microsemi Corporation | Single BJT Transistors | |
2N5012S | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 2625 |
2N5013 | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 0 |
2N5013S | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 2636 |
2N5014 | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 0 |
2N5014 | Microsemi Corporation | Single BJT Transistors | |
2N5015 | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 2577 |
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