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APT21M100J Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package ISOTOP®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 16A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 462W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 260nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A
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