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APT30M40B2VFRG Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS V®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-247-3 Variant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Detailed Description N-Channel 300V 76A (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) -
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 425nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 76A (Tc)
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APT30M40B2VFRG Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per APT30M40B2VFRG

  • Datasheets

Altri includenu   "APT30"   parti

I seguenti parti includenu  'APT30' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
APT3024JLL APT Specialized Hot ICs 2791
APT30D100B APT IGBT Modules 767
APT30D100BCA APT IGBT Modules 2633
APT30D100BCAG Microsemi Diodes - Rectifiers - Arrays 2644
APT30D100BCAG Microsemi Corporation Rectifier Diode Array
APT30D100BCT APT IGBT Modules 1816
APT30D100BCTG Microsemi Diodes - Rectifiers - Arrays 14248
APT30D100BCTG Microsemi Corporation Rectifier Diode Array
APT30D100BG Microsemi Diodes - Rectifiers - Single 1403
APT30D100BG Microsemi Corporation Single-Phase Diode Rectifier

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