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APT5010B2FLLG Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 7®
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 23A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4360pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A (Tc)
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APT5010B2FLLG Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per APT5010B2FLLG

Altri includenu   "APT50"   parti

I seguenti parti includenu  'APT50' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
APT5010B2 APT IGBT Modules 2653
APT5010B2FLL APT IGBT Modules 1007
APT5010B2LC APT IGBT Modules 2840
APT5010B2LL APT IGBT Modules 2897
APT5010B2LLG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2683
APT5010B2VFR APT IGBT Modules 1368
APT5010B2VR APT IGBT Modules 2846
APT5010JFLL APT IGBT Modules 2427
APT5010JLC APT IGBT Modules 1298
APT5010JLCX APT IGBT Modules 2811

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