APTMC120AM08CD3AG Specificazioni tecniche

MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 10mA (Typ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 200A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9500pF @ 1000V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package D3
Power - Max 1100W
Package / Case D-3 Module
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 490nC @ 20V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250A
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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
APTMC120AM08CD3AG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTMC120AM09CT3AG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2649
APTMC120AM09CT3AG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTMC120AM12CT3AG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2700
APTMC120AM12CT3AG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTMC120AM16CD3AG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2665
APTMC120AM16CD3AG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTMC120AM20CT1AG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2589
APTMC120AM20CT1AG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTMC120AM25CT3AG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2558

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