JAN1N6640US Specificazioni tecniche

DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Diodes - Rectifiers - Single
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 300mA
Supplier Device Package D-5B
Series Military, MIL-PRF-19500/609
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 300mA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4ns
Package / Case SQ-MELF, B
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 100nA @ 50V
Capacitance @ Vr, F -
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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
JAN1N1124 Microsemi Specialized Hot ICs 2723
JAN1N1124A IR Specialized Hot ICs 1452
JAN1N1125AR IR Specialized Hot ICs 2992
JAN1N1127AR IR Specialized Hot ICs 2804
JAN1N1183 MOTOROLA Specialized Hot ICs 2945
JAN1N1183A MOTOROLA Specialized Hot ICs 2712
JAN1N1183AR MOTOROLA Specialized Hot ICs 2927
JAN1N1184 Microsemi Diodes - Rectifiers - Single 2615
JAN1N1184A MOTOROLA Specialized Hot ICs 2899
JAN1N1186 Microsemi Diodes - Rectifiers - Single 2714

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