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JAN2N5014S Specificazioni tecniche

NPN TRANSISTOR

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
RoHS Status RoHS non-compliant
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/727
Power - Max 1W
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
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JAN2N5014S Ducumenti

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  • Datasheets

Altri includenu   "JAN2N"   parti

I seguenti parti includenu  'JAN2N' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
JAN2N1016B Microsemi Transistors - Bipolar (BJT) - Single 2654
JAN2N1016C Microsemi Transistors - Bipolar (BJT) - Single 2542
JAN2N1016D Microsemi Transistors - Bipolar (BJT) - Single 2714
JAN2N1171A ST Specialized Hot ICs 2815
JAN2N1172A ST Specialized Hot ICs 2756
JAN2N1173A ST Specialized Hot ICs 2936
JAN2N1174A ST Specialized Hot ICs 2812
JAN2N1175A ST Specialized Hot ICs 2854
JAN2N1176A ST Specialized Hot ICs 2834
JAN2N1177A ST Specialized Hot ICs 2909

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