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APTGT100A60T1G Specificazioni tecniche

IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package SP1
Package / Case SP1
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Power - Max 340W
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
Configuration Half Bridge
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Altri includenu   "APTGT"   parti

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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
APTGT100A1202G Microsemi Transistors - IGBTs - Modules 2741
APTGT100A1202G Microsemi Corporation IGBTs Modules
APTGT100A120D1G Microsemi Transistors - IGBTs - Modules 2761
APTGT100A120D1G Microsemi Corporation IGBTs Modules
APTGT100A120T3AG Microsemi Transistors - IGBTs - Modules 2517
APTGT100A120T3AG Microsemi Corporation IGBTs Modules
APTGT100A120TG Microsemi Transistors - IGBTs - Modules 2709
APTGT100A120TG Microsemi Corporation IGBTs Modules
APTGT100A170D1G Microsemi Transistors - IGBTs - Modules 2779
APTGT100A170D1G Microsemi Corporation IGBTs Modules

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