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APTGTQ200DA65T3G Specificazioni tecniche

POWER MODULE - IGBT

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Supplier Device Package SP3F
Package / Case Module
NTC Thermistor Yes
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Boost Chopper 650V 200A 483W Chassis Mount SP3F
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 200A
Power - Max 483W
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Capacitance (Cies) @ Vce 12nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 200µA
Configuration Boost Chopper
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APTGTQ200DA65T3G Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per APTGTQ200DA65T3G

Altri includenu   "APTGT"   parti

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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
APTGT100A1202G Microsemi Transistors - IGBTs - Modules 2741
APTGT100A1202G Microsemi Corporation IGBTs Modules
APTGT100A120D1G Microsemi Transistors - IGBTs - Modules 2761
APTGT100A120D1G Microsemi Corporation IGBTs Modules
APTGT100A120T3AG Microsemi Transistors - IGBTs - Modules 2517
APTGT100A120T3AG Microsemi Corporation IGBTs Modules
APTGT100A120TG Microsemi Transistors - IGBTs - Modules 2709
APTGT100A120TG Microsemi Corporation IGBTs Modules
APTGT100A170D1G Microsemi Transistors - IGBTs - Modules 2779
APTGT100A170D1G Microsemi Corporation IGBTs Modules

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