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APTM120A20DG Specificazioni tecniche

MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 6mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15200pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP6
Power - Max 1250W
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 600nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A
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APTM120A20DG Ducumenti

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Altri includenu   "APTM1"   parti

I seguenti parti includenu  'APTM1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
APTM100A12STG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2580
APTM100A12STG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM100A13DG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2603
APTM100A13DG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM100A13SCG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2550
APTM100A13SCG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM100A13SG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2829
APTM100A13SG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM100A18FTG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2514
APTM100A18FTG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays

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