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BYVB32-50HE3/45 Specificazioni tecniche
DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Diodes - Rectifiers - Arrays |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 18A |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tube |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 50V |
BYVB32-50HE3/45 Ducumenti
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-
Datasheets
1.BYVB32-50HE3/45.pdf 2.BYVB32-50HE3/45.pdf
Altri includenu "BYVB3" parti
I seguenti parti includenu 'BYVB3'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
BYVB32-100 | VISHAY | Specialized Hot ICs | 2678 |
BYVB32-100 MOS | Vishay Precision Group | Specialized Hot ICs | 967 |
BYVB32-100-E3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Rectifiers - Arrays | 2566 |
BYVB32-100-E3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Rectifiers - Arrays | 2798 |
BYVB32-100-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectifier Diode Array | |
BYVB32-100-E3/81 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Rectifiers - Arrays | 2507 |
BYVB32-100-E3/81 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Rectifiers - Arrays | 2504 |
BYVB32-100-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Rectifier Diode Array | |
BYVB32-100HE3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodes - Rectifiers - Arrays | 2635 |
BYVB32-100HE3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodes - Rectifiers - Arrays | 2539 |
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