NE85619-T1-A Specificazioni tecniche

RF TRANSISTOR NPN SOT-523

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Manufacturer CEL (California Eastern Laboratories)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Supplier Device Package SOT-523
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 4.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 100mW
Package / Case SOT-523
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Gain 9dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V
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NE85618 NEC Specialized Hot ICs 5
NE85618-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistors - Bipolar (BJT) - RF 2712
NE85618-A CEL RF BJT Transistors
NE85618-T1-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistors - Bipolar (BJT) - RF 63453
NE85618-T1-A CEL RF BJT Transistors
NE85619 NEC Specialized Hot ICs 5
NE85619-A CEL (California Eastern Laboratories) Transistors - Bipolar (BJT) - RF 2581
NE85619-A CEL RF BJT Transistors
NE85619-T1 CEL (California Eastern Laboratories) Transistors - Bipolar (BJT) - RF 3150
NE85619-T1 CEL RF BJT Transistors

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