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NE85619-T1-A Specificazioni tecniche
RF TRANSISTOR NPN SOT-523
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 4.5GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SOT-523 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Gain | 9dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
NE85619-T1-A Ducumenti
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-
Datasheets
NE85619-T1-A.pdf
Altri includenu "NE856" parti
I seguenti parti includenu 'NE856'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
NE85618 | NEC | Specialized Hot ICs | 5 |
NE85618-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolar (BJT) - RF | 2712 |
NE85618-A | CEL | RF BJT Transistors | |
NE85618-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolar (BJT) - RF | 63453 |
NE85618-T1-A | CEL | RF BJT Transistors | |
NE85619 | NEC | Specialized Hot ICs | 5 |
NE85619-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolar (BJT) - RF | 2581 |
NE85619-A | CEL | RF BJT Transistors | |
NE85619-T1 | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolar (BJT) - RF | 3150 |
NE85619-T1 | CEL | RF BJT Transistors |
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