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PBLS2003S,115 Specificazioni tecniche

TRANS NPN PREBIAS/PNP 1.5W 8SO

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 20V
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 1.5W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Frequency - Transition 100MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA, 100nA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Supplier Device Package 8-SO
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 3A
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PBLS2003S,115 Ducumenti

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Altri includenu   "PBLS2"   parti

I seguenti parti includenu  'PBLS2' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
PBLS2001D NXP Specialized Hot ICs 18241
PBLS2001D+115 NXP Specialized Hot ICs 2610
PBLS2001D,115 Nexperia Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2565
PBLS2001D,115 Nexperia USA Inc. BJT Transistors Arrays
PBLS2001S NXP Semiconductors / Freescale Specialized Hot ICs 1281
PBLS2001S,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2774
PBLS2001S,115 NXP USA Inc. BJT Transistors Arrays
PBLS2002D,115 Nexperia Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2672
PBLS2002D,115 Nexperia USA Inc. BJT Transistors Arrays
PBLS2002S NXP Specialized Hot ICs 12283

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