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PDTC124EU,135
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PDTC124EU,135 Specificazioni tecniche
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Frequency - Transition | 230MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-323-3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
PDTC124EU,135 Ducumenti
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Datasheets
PDTC124EU,135.pdf
Altri includenu "PDTC1" parti
I seguenti parti includenu 'PDTC1'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
PDTC114E | NXP Semiconductors / Freescale | Specialized ICs | 10219 |
PDTC114EE | SOD523 | Specialized Hot ICs | 5811 |
PDTC114EE,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2580 |
PDTC114EE,115 | NXP USA Inc. | Pre-Biased BJT Transistors | |
PDTC114EE/DG | NXP | Specialized Hot ICs | 3550 |
PDTC114EE115 | NXP | Specialized Hot ICs | 2526 |
PDTC114EEF | PHILIPS | Specialized Hot ICs | 4000 |
PDTC114EETL | PHI | Specialized Hot ICs | 1217 |
PDTC114EK | NXP | Specialized Hot ICs | 11871 |
PDTC114EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2636 |
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