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PUMD30,115
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PUMD30,115 Specificazioni tecniche
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | 6-TSSOP |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 20mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
PUMD30,115 Ducumenti
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Datasheets
PUMD30,115.pdf
Altri includenu "PUMD3" parti
I seguenti parti includenu 'PUMD3'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
PUMD3 | NXP | Specialized Hot ICs | 75279 |
PUMD3 ,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Specialized Hot ICs | 5302 |
PUMD3 IC | NXP Semiconductors / Freescale | Specialized Hot ICs | 10568 |
PUMD3+115 | NXP | Specialized Hot ICs | 2730 |
PUMD3,115 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2535 |
PUMD3,115 | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays | |
PUMD3,125 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2692 |
PUMD3,125 | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays | |
PUMD3,135 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2786 |
PUMD3,135 | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays |
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