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PUMH13,115
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PUMH13,115 Specificazioni tecniche
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | 6-TSSOP |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
PUMH13,115 Ducumenti
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Datasheets
PUMH13,115.pdf
Altri includenu "PUMH1" parti
I seguenti parti includenu 'PUMH1'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
PUMH1 | NXP | Specialized Hot ICs | 6698 |
PUMH1,115 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2720 |
PUMH1,115 | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays | |
PUMH1/DG/B2 | NXP | Specialized Hot ICs | 56720 |
PUMH1/DG/B3,115 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2656 |
PUMH1/DG/B3,115 | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays | |
PUMH1/ZLX | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays | |
PUMH10 | NXP | Specialized Hot ICs | 177456 |
PUMH10 IC | NXP Semiconductors / Freescale | Specialized Hot ICs | 66296 |
PUMH10,115 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2726 |
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