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SI3493DDV-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.6W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1825pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 8A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI3493DDV-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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SI3493DDV-T1-GE3 Ducumenti

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Altri includenu   "SI349"   parti

I seguenti parti includenu  'SI349' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI3493BDV-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 518500
SI3493BDV-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 518500
SI3493BDV-T1-E3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SI3493BDV-T1-E3 IC Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 742
SI3493BDV-T1-E3 MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 29583
SI3493BDV-T1-E3-S VISHAY Specialized Hot ICs 58489
SI3493BDV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 71523
SI3493BDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 71523
SI3493BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
Si3493BDV-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 36367

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