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SI4166DY-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2730pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.5A (Tc)
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SI4166DY-T1-GE3 Ducumenti

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Altri includenu   "SI416"   parti

I seguenti parti includenu  'SI416' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI4160DY SI Specialized Hot ICs 22174
SI4160DY-T1-E3 VISHAY Specialized Hot ICs 29366
SI4160DY-T1-EG3 VISHAY Specialized Hot ICs 2661
SI4160DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3414
SI4160DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 136449
SI4160DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SI4160DY-T1-GE3 MOSFETIGBTIC Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 80495
SI4160DY-TI-GE3 VISHAY Specialized Hot ICs 4246
SI4162DY VISHAY Specialized Hot ICs 1982
SI4162DY-T1 VISHAY Specialized Hot ICs 2784

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