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SI4330DY-T1-E3 Specificazioni tecniche

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 8.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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SI4330DY-T1-E3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SI4330DY-T1-E3

Altri includenu   "SI433"   parti

I seguenti parti includenu  'SI433' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI433 SI Specialized Hot ICs 2568
SI4330-A0-FM SILICON Specialized Hot ICs 3892
SI4330-A0-FM Silicon Labs RF Transmitter
SI4330-A0-FM IC Energy Micro (Silicon Labs) Specialized Hot ICs 3800
SI4330-B1-FM Energy Micro (Silicon Labs) RF Receivers 3000
SI4330-B1-FM Silicon Labs RF Receivers
SI4330-B1-FM-02T SILICON Specialized Hot ICs 2657
SI4330-B1-FMR Energy Micro (Silicon Labs) RF Receivers 5423
SI4330-B1-FMR Silicon Labs RF Receivers
SI4330BDY-T1-GE3 V Specialized Hot ICs 18985

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