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SI4894BDY-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1580pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.9A (Ta)
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Altri includenu   "SI489"   parti

I seguenti parti includenu  'SI489' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI4890 SI Specialized Hot ICs 2632
SI4890BDY-T1 VISHAY Specialized Hot ICs 3337
SI4890BDY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 37760
SI4890BDY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3214
SI4890BDY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 9774
SI4890BDY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 6314
SI4890DY VIS Specialized Hot ICs 591
SI4890DY-T1 VISHAY Specialized Hot ICs 604
SI4890DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 65215
SI4890DY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 65215

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