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PDTA143XS,126 Specificazioni tecniche

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Manufacturer NXP Semiconductors / Freescale
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 500mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package TO-92-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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PDTA143XS,126 Ducumenti

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Altri includenu   "PDTA1"   parti

I seguenti parti includenu  'PDTA1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
PDTA113EE NXP Specialized Hot ICs 438268
PDTA113EE,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 3500
PDTA113EE,115 NXP USA Inc. Pre-Biased BJT Transistors
PDTA113EK NXP Specialized Hot ICs 12265
PDTA113EK,115 NXP Semiconductors / Freescale Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2544
PDTA113EK,115 NXP USA Inc. Pre-Biased BJT Transistors
PDTA113EM,315 Nexperia Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2745
PDTA113EM,315 Nexperia USA Inc. Pre-Biased BJT Transistors
PDTA113EMB,315 Nexperia Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2587
PDTA113EMB,315 Nexperia USA Inc. Pre-Biased BJT Transistors

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