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PEMD18,115
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PEMD18,115 Specificazioni tecniche
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-666 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
PEMD18,115 Ducumenti
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Datasheets
PEMD18,115.pdf
Altri includenu "PEMD1" parti
I seguenti parti includenu 'PEMD1'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
PEMD10 | NXP | Specialized Hot ICs | 4330 |
PEMD10,115 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2797 |
PEMD10,115 | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays | |
PEMD10/DG | NXP Semiconductors / Freescale | Specialized Hot ICs | 8000 |
PEMD10115 | NXP Semiconductors / Freescale | Specialized Hot ICs | 2603 |
PEMD12 | NXP | Specialized Hot ICs | 384750 |
PEMD12,115 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2778 |
PEMD12,115 | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays | |
PEMD12,315 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2577 |
PEMD12,315 | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays |
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