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PUMD2,115
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PUMD2,115 Specificazioni tecniche
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22k |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | 6-TSSOP |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22k |
Packaging | Original-Reel® |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
PUMD2,115 Ducumenti
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Datasheets
PUMD2,115.pdf
Altri includenu "PUMD2" parti
I seguenti parti includenu 'PUMD2'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
PUMD2 | NXP | Specialized Hot ICs | 15377 |
PUMD2 IC | Nexperia | Specialized Hot ICs | 1248 |
PUMD2,115 | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays | |
PUMD2,125 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 12500 |
PUMD2,125 | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays | |
PUMD2,165 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2540 |
PUMD2,165 | Nexperia USA Inc. | BJT Transistors Arrays | |
PUMD2/DG/B2 | NXP | Specialized Hot ICs | 9000 |
PUMD2/DG/B2 ,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Specialized Hot ICs | 477392 |
PUMD2/DG/B2,115 | NXP | Specialized Hot ICs | 477000 |
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