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FQD2N90TM Specificazioni tecniche

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / Single MOSFETs Transistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating 1.7A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A Tc
Rise Time 35ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 6.8A
Lead Free Lead Free
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 900V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 50W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 Ω @ 850mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.7A
Drain to Source Breakdown Voltage 900V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FQD2N90TM Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per FQD2N90TM

  • Datasheets

Altri includenu   "FQD2N"   parti

I seguenti parti includenu  'FQD2N' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
FQD2N100 FAIRCHILD Specialized Hot ICs 20446
FQD2N100TF Fairchild/ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2708
FQD2N100TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2524
FQD2N100TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 6627
FQD2N100TM Fairchild/ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 6627
FQD2N100TM ON Semiconductor Single MOSFETs Transistors
FQD2N100TM MOS Fairchild/ON Semiconductor Specialized Hot ICs 4930
FQD2N30 FAI Specialized Hot ICs 7000
FQD2N30 MOS Fairchild/ON Semiconductor Specialized Hot ICs 2779
FQD2N30TF VB Specialized Hot ICs 5000

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