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MJB5742T4G Specificazioni tecniche

MJB5742T4G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / Single BJT Transistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 2.000002g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power - Max 100W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 4A 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 400V
Max Breakdown Voltage 400V
Continuous Collector Current 8A
Length 10.29mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 2W
Base Part Number MJB5742
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Polarity NPN
Case Connection COLLECTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 8A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 400mA, 8A
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Emitter Base Voltage (VEBO) 8V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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MJB5742T4G Ducumenti

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  • Datasheets

Altri includenu   "MJB57"   parti

I seguenti parti includenu  'MJB57' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
MJB5742G ON Specialized Hot ICs 2688
MJB5742T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single 9266

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