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MMUN2212LT1G Specificazioni tecniche

MMUN2212LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / Pre-Biased BJT Transistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 246mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100mA
Base Part Number MMUN22**L
Max Output Current 100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 22 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 22 k Ω
Length 2.9mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Operating Supply Voltage 50V
Polarity NPN
Power Dissipation 246mW
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Collector Emitter Saturation Voltage 250mV
hFE Min 60
Continuous Collector Current 100mA
Height 940μm
Width 1.3mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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MMUN2212LT1G Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per MMUN2212LT1G

  • Datasheets

Altri includenu   "MMUN2"   parti

I seguenti parti includenu  'MMUN2' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
MMUN2111 N/A Specialized Hot ICs 3000
MMUN2111LT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 1397
MMUN2111LT1 ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
MMUN2111LT1 Rochester Electronics, LLC Pre-Biased BJT Transistors
MMUN2111LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 5340
MMUN2111LT1G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
MMUN2111LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 7669
MMUN2111LT3G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
MMUN2111RLT1 LRC Specialized Hot ICs 3500
MMUN2111RLT1G ON Specialized Hot ICs 4270

I clienti anu vistu ancu

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