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NSBA113EDXV6T1G
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NSBA113EDXV6T1G Specificazioni tecniche
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductors / BJT Transistors Arrays |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Weight | 8.193012mg |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Max Power Dissipation | 250mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 6 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
hFE Min | 3 |
Continuous Collector Current | -100mA |
Height | 550μm |
Width | 1.2mm |
Lead Free | Lead Free |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Number of Pins | 6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Polarity | PNP |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1k Ω |
Length | 1.6mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NSBA113EDXV6T1G Ducumenti
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-
Datasheets
Altri includenu "NSBA1" parti
I seguenti parti includenu 'NSBA1'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
NSBA113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2561 |
NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | BJT Transistors Arrays | |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | BJT Transistors Arrays | |
NSBA113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2743 |
NSBA113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2635 |
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Pre-Biased BJT Transistors | |
NSBA114EDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 6222 |
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | BJT Transistors Arrays | |
NSBA114EDXV6T1 | ON | Specialized Hot ICs | 5048 |
NSBA114EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2618 |
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