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NSBC144WDP6T5G Specificazioni tecniche

TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / BJT Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Package / Case SOT-963
Number of Pins 6
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
Max Power Dissipation 408mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number NSBC1*
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
Lead Free Lead Free
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NSBC144WDP6T5G Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per NSBC144WDP6T5G

  • Datasheets

Altri includenu   "NSBC1"   parti

I seguenti parti includenu  'NSBC1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
NSBC113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2623
NSBC113EDXV6T1 ON Semiconductor BJT Transistors Arrays
NSBC113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT Transistors Arrays
NSBC113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2611
NSBC113EDXV6T1G ON Semiconductor BJT Transistors Arrays
NSBC113EDXV6T5 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2510
NSBC113EDXV6T5 ON Semiconductor BJT Transistors Arrays
NSBC113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2570
NSBC113EF3T5G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
NSBC113EPDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2569

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