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NTZS3151PT1H Specificazioni tecniche

MOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / Single MOSFETs Transistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Element Configuration Single
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 860mA Ta
Rise Time 12ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 1.8V 4.5V
Fall Time (Typ) 18 ns
Continuous Drain Current (ID) 860mA
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
RoHS Status RoHS Compliant
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Power Dissipation-Max 170mW Ta
Turn On Delay Time 5 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150m Ω @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 458pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±8V
Turn-Off Delay Time 23.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Radiation Hardening No
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NTZS3151PT1H Ducumenti

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  • Datasheets

Altri includenu   "NTZS3"   parti

I seguenti parti includenu  'NTZS3' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
NTZS3151P AMI Semiconductor / ON Semiconductor Specialized Hot ICs 18213
NTZS3151PT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 14165
NTZS3151PT1G ON Semiconductor Single MOSFETs Transistors
NTZS3151PT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Specialized Hot ICs 503
NTZS3151PT1H AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 744
NTZS3151PT5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2594

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