SBAS70-04LT1G Specificazioni tecniche

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Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / Rectifier Diode Array
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Operating Temperature (Max) 150°C
Power Dissipation-Max 0.225W
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 10μA @ 70V
Forward Current 15mA
Current - Average Rectified (Io) 100mA DC
Peak Reverse Current 10μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 100mA
Max Forward Surge Current (Ifsm) 100mA
Lead Free Lead Free
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Diode Element Material SILICON
Published 2009
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Rectifier Diodes
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 15mA
Operating Temperature - Junction -55°C~150°C
Max Reverse Voltage (DC) 70V
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 70V
Diode Configuration 1 Pair Series Connection
RoHS Status ROHS3 Compliant
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SBAS70-04LT1G Ducumenti

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Altri includenu   "SBAS7"   parti

I seguenti parti includenu  'SBAS7' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SBAS70-04LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Diodes - Rectifiers - Arrays 5220
SBAS70-04LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Specialized Hot ICs 33443

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