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DRA2114Y0L
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DRA2114Y0L Specificazioni tecniche
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Manufacturer | Panasonic |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | Mini3-G3-B |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
DRA2114Y0L Ducumenti
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Datasheets
Altri includenu "DRA21" parti
I seguenti parti includenu 'DRA21'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
DRA2113Z0L | Panasonic | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 18750 |
DRA2113Z0L | Panasonic Electronic Components | Pre-Biased BJT Transistors | |
DRA2114E0L | Panasonic | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 21000 |
DRA2114E0L | Panasonic Electronic Components | Pre-Biased BJT Transistors | |
DRA2114T0L | Panasonic | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 3000 |
DRA2114T0L | Panasonic Electronic Components | Pre-Biased BJT Transistors | |
DRA2114Y0L | Panasonic Electronic Components | Pre-Biased BJT Transistors | |
DRA2115E0L | Panasonic | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2704 |
DRA2115E0L | Panasonic Electronic Components | Pre-Biased BJT Transistors | |
DRA2115G0L | Panasonic | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2768 |
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