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BSM400D12P2G003 Specificazioni tecniche

SILICON CARBIDE POWER MODULE. B

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 38000pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V 1.2kV
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Part Status Active
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power - Max 2450W Tc
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 85mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400A Tc
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
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BSM400D12P2G003 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per BSM400D12P2G003

  • Datasheets

Altri includenu   "BSM40"   parti

I seguenti parti includenu  'BSM40' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
BSM400GA120DL EUPEC IGBT Modules 1251
BSM400GA120DLC EUPEC IGBT Modules 1200
BSM400GA120DLCFS EUPEC IGBT Modules 2753
BSM400GA120DLCFS-E3256 International Rectifier (Infineon Technologies) Specialized Hot ICs 2845
BSM400GA120DLCHOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistors - IGBTs - Modules 2744
BSM400GA120DLCHOSA1 Infineon Technologies IGBTs Modules
BSM400GA120DLCS EUPEC IGBT Modules 1329
BSM400GA120DLE EUPEC IGBT Modules 2908
BSM400GA120DLE3257 EUPEC IGBT Modules 1255
BSM400GA120DN2 EUPEC IGBT Modules 1451

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